실리콘 반도체의 경우 미세화가 진행됨에 따라 전자 이동속도 및 전류 누설과 관련된 문제들이 발생되고, 고전압, 고전력, 고온 등의 극한환경에서의 활용이 제한적인 부분이 있습니다. 이는 밴드갭이 좁아 발생되는 문제입니다. 이를 극복하기 위해서 밴드갭이 넓은 와이드 밴드갭을 가지는 화합물 반도체의 중요성이 증가하고 있습니다.
실리콘 반도체의 한계는 주로 미세화와 성능 향상에 대한 물리적 한계 그리고 전력 효율 문제에서 나타납니다. 반도체 회로를 미세화할수록 열 발생이 증가하고 전자 이동 경로가 짧아지면서 누설 전류와 같은 문제가 발생합니다. 또한 실리콘 자체의 물리적 특성 때문에 더 작은 트랜지스터로 계속 축소하는 데 한계가 있으며 고온에서 안정성이 떨어지기 때문에 높은 온도에서 성능 유지가 어렵습니다. 이러한 이유로 실리콘을 대체할 수 있는 새로운 소재나 3D 구조 혹은 새로운 기술을 탐색하는 연구가 활발하게 진행되고 있습니다.