반도체 장비에서 tcp와 bias rf 파워의 기능은 무엇인가요?

Question

반도체 장비 건식 식각 장비에서는 rf 파워를 사용합니다.

플라즈마를 만드는 중요한 요소입니다.

여기에서 tcp rf와 bias rf 파워를 사용하는데

각각 어떤 역할을 하는건가요?

Answer 1

안녕하세요. 후련한느시178입니다. 반도체 제조 과정에서 사용되는 건식 식각 장비에서 RF(Radio Frequency) 파워는 매우 중요한 역할을 합니다. 특히 TCP(Top Coupled Plasma) RF와 Bias RF라는 두 종류의 RF 파워가 사용되는데, 각각의 역할에 대해 설명해드리겠습니다.

1. TCP RF 파워: TCP RF 파워는 식각 과정에서 플라즈마를 생성하는 데 사용됩니다. 이는 식각 장비의 상단에 위치한 전극을 통해 공급되며, 가스를 이온화하여 플라즈마를 형성하는 데 필요한 에너지를 제공합니다. 플라즈마는 반도체 웨이퍼의 표면에 식각을 하는 데 필요한 반응성 이온과 라디칼을 생성합니다.

2. Bias RF 파워: Bias RF 파워는 웨이퍼에 식각 패턴을 더욱 정밀하게 형성하는 데 사용됩니다. 이는 식각 장비의 하단에 위치한 전극을 통해 공급되며, 웨이퍼의 표면에 전기적인 편향을 생성하여 플라즈마 내의 이온들이 웨이퍼 표면을 향해 가속되도록 합니다. 이를 통해 식각 과정의 정밀도와 효율성을 높일 수 있습니다.

간단히 말해, TCP RF는 플라즈마 생성을 위한 에너지를 제공하고, Bias RF는 식각 과정의 정밀도와 효율성을 높이는 역할을 합니다. 이 두 RF 파워의 조합을 통해 반도체 제조 과정에서 높은 정밀도의 식각 패턴을 형성할 수 있습니다.