반도체에서 d램 플래쉬 메모리, 낸드 메모리 차이는 무엇인가요?

Question

반도체에는 d램과 플래쉬 메모리, 낸드 메모리 같은

제품이 있다고 합니다.

이 세가지 제품의 특징과 각각 어떤 과학적인 기술 차이가 있는건가요?

Answer 1

안녕하세요. 김경태 과학전문가입니다.

1. 작동 방식:

- DRAM: DRAM은 충전된 전하를 저장하는 캐패시터로 구성되어 있습니다. 캐패시터에 저장된 전하는 주기적으로 재생되어 유지되어야 합니다.

- NAND Flash: NAND Flash는 전하를 쌓아서 정보를 저장하는 메모리 셀로 구성되어 있습니다. 전하가 쌓인 양에 따라 정보가 표현됩니다.

2. 속도:

- DRAM: DRAM은 대부분의 메모리 접근 시간이 매우 짧습니다. 따라서 빠른 데이터 읽기 및 쓰기 속도를 제공합니다.

- NAND Flash: NAND Flash는 DRAM보다 비교적 접근 시간이 오래 걸립니다. 따라서 데이터 읽기 및 쓰기 속도가 상대적으로 느립니다.

3. 지속성과 내구성:

- DRAM: DRAM은 전원이 공급되지 않으면 저장된 데이터가 손실됩니다. 또한, 캐패시터의 충전 상태를 유지하기 위해 주기적으로 재생해야 합니다.

- NAND Flash: NAND Flash는 전원이 꺼져도 데이터를 유지합니다. 또한, NAND Flash는 상당한 수명과 내구성을 가지고 있어 반복적인 데이터 읽기 및 쓰기에도 효과적입니다.