고대역폭 메모리 반도체에서 현재 하이닉스와 삼성의 기술차이는 ?
우리나라 메모리 업체의 대표주자 삼성전자와 SK하이닉스가
있는데요 그런데 고대역폭 메모리분야에서 하이닉스 기술이
앞선다고 평가는 내리고 있는데 두회사의 기술력 차이는 어느정도
인가요?
안녕하세요. 권혁철 경제전문가입니다.
많은 분들이 삼성전자와 SK하이닉스의 고대역폭 메모리(HBM) 기술력 차이에 대해 궁금해하시는데요, 저도 비슷한 관심을 가지고 있었습니다.
현재 HBM 분야에서 SK하이닉스는 삼성전자보다 앞서 있다는 평가를 받고 있습니다. SK하이닉스는 세계 최초로 HBM3E 12단 제품을 양산하며 시장 점유율을 높이고 있습니다. 반면, 삼성전자는 HBM3E 8단 제품을 양산 중이며, 12단 제품은 하반기에 공급할 예정입니다.
이러한 차이는 패키징 기술에서도 나타납니다. SK하이닉스는 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 기술을 적용하여 열전도율과 공정 속도를 향상시켰습니다. 삼성전자는 기존의 TC-NCF(Thin Chip with Non-Conductive Film) 방식을 사용하고 있습니다.
하지만 기술 격차는 지속적인 연구개발로 좁혀질 수 있습니다. 삼성전자도 HBM3E 12단 제품을 준비 중이므로, 향후 경쟁이 더욱 치열해질 것으로 예상됩니다.
안녕하세요. 정현재 경제전문가입니다.
SK 하이닉스는 ‘MR-MUF(Mass Reflow-Molded UnderFill)’, 삼성전자는 ‘TC NCF(Thermal Compression Non Conductive Film)’ 기술을 적용하고 있는데요. 단순하게 표현하면 SK하이닉스는 오븐에서 한 번에 구워내는 방식, 삼성전자는 필름을 한 장씩 깔아가면서 쌓는 방식입니다.
SK하이닉스는 MR-MUF의 안정적인 특성을 바탕으로 4세대인 HBM3 시장에서 앞서 나가고 있는데, SK하이닉스의 HBM3는 엔비디아에 사실상 독점 공급될 정도로 압도적이죠. 반면 삼성전자는 TC NCF 가 높은 단을 쌓을 때 더 유리하다는 장점을 내세워 차세대 HBM 경쟁에서 우위를 차지하겠다고 했지만 사실 격차가 벌어진 상황입니다.
안녕하세요. 인태성 경제전문가입니다.
질문해주신 고대역폭 메모리 반도체에서 현재 SK 하이닉스와 삼성전자의 기술차이에 대한 내용입니다.
SK 하이닉스와 삼성전자의 기술차이를 수치화하기는 어렵지만
확실한 것은 고객사가 SK 하이닉스 제품은 납품을 받지만
삼성전자는 받지 않는 것에서 차이가 납니다.
저도 전문가는 아니라 신문 기사에서 나온 내용만 보고 말씀드립니다. 두 회사의 기술력은 1년에서 2년 정도 차이가 난다는 말이 의견이 있습니다. 이것도 전문가마다 짧으면 6개월로 보는 사람도 있습니다
안녕하세요. 박형진 경제전문가입니다.
HBM(고대역폭 메모리)의 경우 AI인공지능을 구현하는데 필수적인 부품입니다.
상당한 성능을 구현할 수 있어야 인공지능이 완벽해 질 수 있습니다.
두 회사는 획기적인 기술을 가지고 있으며 글로벌 경쟁력도 갖추었습니다.
다만 현재 수주나 매출로는 두 회사의 기술력 차이를 가늠할 수 없으며 엎치락뒤치락 하며
잘 발전하고 있습니다.
안녕하세요. 전중진 경제전문가입니다.
하이닉스와 같은 경우에는 hbm3를
개발하여 양산 중이며 납품하고 있으나
삼성은 양산을 준비해서 납품을 시도하고 있는 등
이에 따라서 기술력 차이가 어느정도 벌어졌다고 볼수 있습니다.