차세대 반도체 재료로는 실리콘을 대체하거나 보완할 수 있는 다양한 소재들이 주목받고 있습니다. 대표적으로 게르마늄(Ge)과 갈륨 나이트라이드(GaN)가 있습니다. 게르마늄은 전자 이동성이 실리콘보다 높아 고성능 반도체 소자에 유리하며 갈륨 나이트라이드는 높은 전력 효율과 내열성으로 고온 고전압 환경에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 또한 탄화규소(SiC)는 전력 반도체에서 실리콘보다 우수한 효율을 보이며 전기차와 신재생 에너지 분야에서 주목받고 있습니다. 그래핀이나 이황화몰리브덴(MoS2) 같은 2D 소재들도 전자 이동성과 투명성 면에서 우수해 차세대 반도체로 연구되고 있습니다.