미세 공정 기술은 반도체 소자의 패턴을 나노미터 단위로 제작하는 기술입니다. 그러므로 광학 리소그래피, 에칭, 증착 등의 공정을 통해 성능 향상과 집적도를 높이게됩니다. 최신 기술로는 극자외선 리소그래피라고 해서 더욱 미세한 회로를 형성하는데 사용되는 공정입니다. 한계로는 공정이 점점 복잡해지고 제조 비용증가와 열 발생 처리가 어려워 지고 있습니다.
반도체 소자의 성능 향상을 위해 사용되는 미세공정기술은 리소그래피 기술로 특히 EUV 리소그래피가 최신 기술입니다. 이 기술은 매우 짧은 파장의 자외선을 사용하여 반도체 웨이퍼에 미세한 패턴을 정밀하게 인쇄함으로써 트랜지스터의 크기를 줄이고 집적도를 높여 성능을 향상시킵니다. 그러나 이 기술의 한계로는 높은 비용과 기술적 복잡성, 그리고 물리적 한계로 인해 더 이상의 미세화가 어려워질 수 있다는 점이 있습니다. 예를 들어 패턴의 미세화가 진행될수록 전자기파의 회절 현상이나 기계적 결함 등이 발생할 수 있으며 이로 인해 반도체 소자의 성능 향상이 제한될 수 있습니다.