Si 웨이퍼 세정 메커니즘이 어떻게 되나요 ?
반도체 공정 공부를 하다가, Si 웨이퍼의 표면 세정 메커니즘이 궁금해 질문을 남깁니다.
RCA 세정 원리, Megasonic 세정 원리, PVA brush scrubbing 세정 원리에 대해 알려주세요.
감사합니다.
RCA 세정은 높은 순도를 요구하는 반도체 공정에서 표면의 오염물을 제거하기 위해 사용되는 세정 방법입니다. RCA는 "Radio Corporation of America"의 약자로, 이 방법은 초기에 RCA에서 개발되었습니다. 주로 실리콘(Si) 웨이퍼의 표면 세정에 사용됩니다.
RCA 세정은 일반적으로 두 단계로 진행됩니다. 첫 번째 단계에서는 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)로 구성된 혼합 용액에 웨이퍼를 담갔을 때의 표면 불순물을 제거합니다. 두 번째 단계에서는 물(H2O)과 HCI로 구성된 용액을 사용하여 표면을 중성화합니다.
Megasonic 세정은 고주파 음파 파동을 이용하여 표면 오염물을 제거하는 세정 방법입니다. 고주파 음파 파동은 초음파보다 더 높은 주파수를 가지며, 일반적으로 0.5 MHz 이상의 주파수를 사용합니다.
Megasonic 세정은 음파 파동이 오염물과 상호작용하여 오염 물질을 표면에서 제거하는 기계적인 효과를 이용합니다. 이는 표면의 마이크로 적층 및 기계적인 진동을 유발하여 오염 물질을 효과적으로 제거하는 데 도움이 됩니다.
PVA (Polyvinyl Alcohol) Brush Scrubbing 세정은 회전하는 PVA 브러시를 사용하여 웨이퍼 표면을 세척하는 방법입니다. PVA 브러시는 부드러운 소재로 만들어져 있으며, 오염물을 제거하면서 웨이퍼 표면을 손상시키지 않습니다.
PVA Brush Scrubbing 세정은 일반적으로 세정 용액과 함께 사용됩니다. 회전하는 PVA 브러시가 세정 용액을 표면에 뿌리면서 오염 물질을 제거합니다. 이 세정 방법은 오염물을 물리적으로 제거하면서도 미세한 파편이나 입자를 효과적으로 제거할 수 있어 표면의 깨끗한 상태를 유지할 수 있습니다.
각각의 세정 방법은 표면 오염물을 제거하기 위해 다양한 메커니즘을 활용합니다. 반도체 공정에서는 이러한 세정 방법을 조합하여 표면을 깨끗하게 유지하고, 웨이퍼의 품질과 성능을 향상시킵니다.
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