안녕하세요. 김경욱 과학전문가입니다.
SK하이닉스가 300단 낸드 첫 개발에 성공한 것은 중요한 업적입니다. 하지만 현재 시점에서 이것이 삼성전자를 앞서가는 것인지는 분명하지 않습니다.
실제로 삼성전자는 현재 176층 4D V-NAND를 개발하였고, 이것은 SK하이닉스의 300단 낸드보다 층 수가 더 많습니다. 또한, 삼성전자는 2019년에 7nm 공정 기반의 6th-generation V-NAND를 상용화하였으며, 이는 SK하이닉스의 96층 3D NAND보다 고밀도로 데이터를 저장할 수 있습니다.
따라서, SK하이닉스가 300단 낸드 첫 개발에 성공했다는 것은 중요한 발전이지만, 현재 시점에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 기술력 차이는 분명하지 않습니다.