안녕하세요. 김재훈 과학전문가입니다.
일반 D램 메모리 반도체는 동일한 평면에 칩을 배열하는 구조를 가지고 있습니다. 반면에 HBM3 메모리 반도체는 TSV공정을 통해 칩을 수직으로 쌓아 올리는 구조를 가지고 있습니다. 공정 난이도 차이는 구조적인 차이에서 비롯됩니다. 일반 D램 메모리 반도체는 동일한 평면에 칩을 배열하기 때문에, 공정 과정이 단순합니다. 반면에 HBM3 메모리 반도체는 칩을 수직으로 쌓아 올리기 때문에, TSV 공정을 통해 칩 간 연결을 구현해야 합니다. TSV 공정은 매우 복잡하고, 공정 과정에서 많은 오류가 발생할 수 있습니다. 따라서, HBM3 메모리 반도체의 공정 난이도는 일반 D램 메모리 반도체보다 높습니다
