HBM3메모리 반도체와 일반 D램 메모리반도체와의 특징과 공정난이도 차이가 어느수준인가요?
올해들어서 자주 듣는게 HBM3 차세대 메모리반도체 얘기가 많이 들립니다.
그렇다면 일반 D램 메모리 반도체의 특징이 무엇인지 무엇보다 이 둘의 공정난이도 차이와 왜 공정난이도에서 차이를 보이는건지 궁금합니다
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1개의 답변이 있어요!
안녕하세요. 김재훈 과학전문가입니다.
일반 D램 메모리 반도체는 동일한 평면에 칩을 배열하는 구조를 가지고 있습니다. 반면에 HBM3 메모리 반도체는 TSV공정을 통해 칩을 수직으로 쌓아 올리는 구조를 가지고 있습니다. 공정 난이도 차이는 구조적인 차이에서 비롯됩니다. 일반 D램 메모리 반도체는 동일한 평면에 칩을 배열하기 때문에, 공정 과정이 단순합니다. 반면에 HBM3 메모리 반도체는 칩을 수직으로 쌓아 올리기 때문에, TSV 공정을 통해 칩 간 연결을 구현해야 합니다. TSV 공정은 매우 복잡하고, 공정 과정에서 많은 오류가 발생할 수 있습니다. 따라서, HBM3 메모리 반도체의 공정 난이도는 일반 D램 메모리 반도체보다 높습니다
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