삼성전자가 HBM 시장에서 경쟁력을 확보하지 못한 이유는 여러가지 이유가 있을 수 있으나, 제일 중요한 사유로는 기술적인 이유라고 할 수 있습니다. HBM은 기존 DRAM 기술보다 훨씬 미세한 제조공정을 필요로 하는데, SK하이닉스에 비해서 삼성의 경우 미세화 기술력이 다소 뒤쳐지고 있습니다. 또한 여러칩을 쌓아서 3D 방식으로 만드는 구조인 HBM의 경우 안정적인 접합기술이 필수적인데 이러한 접합기술에서 어려움이 있는 것으로 알려져 있습니다.
또한 삼성전자는 HBM 시장의 후발주자이기 때문에 아직 SK 하이닉스를 따라잡을만한 기술력을 가지지는 못했지만 앞으로 꾸준히 기술 발전을 통해서 HBM 시장에 도전을 하고있기 때문에, 기술력 향상과 공격적인 전략을 취한다면 시장점유율을 확대시킬 수 있을 가능성도 있을 것이라 생각됩니다.
삼성이 HBM 시장에서 상대적으로 부진한 이유로는 SK하이닉스와 마이크론은 HBM 기술을 빠르게 개발하고 상용화 하는데 성공했지만 삼성전자는 기술 개발에서 일정 부분 뒤처진 것 같습니다. 그리고 HBM은 높은 대역폭과 저전력 소모가 중요한데 SK와 마이크론은 이 부분에서 경쟁력 있는 제품을 출시했지만 삼성은 성능 면에서 덜 경쟁력이 있었을 수 있습니다. 또한 시장 점유율면에서 삼성은 메모리 반도체 분야에서 광범위한 포트폴리오로 HBM에 대한 집중도가 낮지 않았나 분석해 봅니다.