안녕하세요. 배현홍 경제전문가입니다.
삼성전자의 디램 기술력은 하이닉스 뿐만 아니라 마이크론에게도 밀리고 있습니다. 삼성전자의 메모리 설계기술문제는 하루이틀이 아니며 이미 과거 S21부터 불거진 과열문제에서부터 문제가 꾸준히 제기되었습니다.
즉 메모리의 설계부터가 기본적으로 문제가 있었던것으로 보이며 여기서 누적된 과열문제로 인하여 항상 삼성 스마트폰에는 발열이슈가 있엇고 이로 인하여 S22때는 gos 즉 성능을 다운시키며 발열된 문제도 바로 이런 삼성의 설계능력 자체부터가 문제가 있었던것으로 보입니다.
즉 이런 고질적인 문제가 해결이 안되어서 현재까지 이어진것으로 보이며 현재 삼성전자의 메모리 디램의 설계 양산은 1a라는 공정이며 그다음 1b라는 공정인데 현재 하이닉스와 마이크론은 이미 1b공정으로 양산화를 진행하고 있습니다. 그러나 삼성은 여전히 발열과 수율에서 문제가 생겨서 1b공정의 양산을 못하고 있습니다.
이로 인하여 HBM도 1b공정의 5세대 메모리로 쌓아올려야 성능이 우수하며 또한 단수를 높이면 발열문제가 바로 생깁니다. 이로 인하여 삼성전자가 8단 HBM3E에서도 엔비디아의 양산수주를 못따냈으며 이미 하이닉스는 12단에서 1b공정으로 수주를 진행하고 있고 그리고 마이크론도 곧 HBM12단 1b공정의 수주 가시권에 온 상황입니다.
그러나 삼성전자는 HBM쪽에서도 저사양쪽에서 1b공정으로 전환을 못해서 1a로서 메모리를 쌓아올리고 있으며 이로 인하여 향후 1c공정을 통해서 HBM 12단 16단으로 발전하겠다는 포부를 세웠으나 시장에서는 이부분에 대해서 회의적인 시각을 보이고 있는것입니다