지금 대만의 tsmc와 한국의 삼성전자는 3나노 공정을 가지고 치열하게 경쟁하는데 이러한 나노공정 발전은 계속 발전할수 있는겁니까?
한계가 있을듯 한데.
한계가 온다면 어떤방향으로 개발공정이 발전할까요?
안녕하세요. 이상현 과학전문가입니다.3나노 공정까지 가면서 아무래도 누설전류가 문제가 될 수 있습니다.예를들어, 전기신호를 올바르게 보내기 위해서는 도선 주변의 전기신호를 차폐하는 벽도잘 만들어져야 에러가 없는데요, 나노공정이 작아짐에 따라서 양자도약같은 특별한 상황이 발생하여누설전류가 만들어질 수 있습니다.즉, 나노 벽이 제대로 작동하지 않아 전류가 새고, 신호에 에러가 발생하는것이죠,이러한 현상은 구조물이 작으면 작을수록 잘 발생합니다.감사합니다.
어떤 방향으로 할지는 아무도 모릅니다.
과거 반도체 공정도 충분히 한계가 있다고 보았습니다.
하지만 finfet 공정이라는 개발 방법이 나오면서 2차원 방식의 공정이 3차원 방식으로 확장되면서
반도체의 크기가 다시 획기적으로 줄어들었습니다.
과학 기술의 끝은 알 수 없기 때문에 반드시 다른 방법이 있을것이라고 생각됩니다.
안녕하세요. 임창진 박사입니다.
현재 한국과 대만을 중심으로 반도체 크기 즉 선폭 미세화 공정의 개발 한계에 봉착하면서
점점 둔화될 것으로 전문가들은 예측하고, 구현한다 하더라도 양산등의 문제가 있을 것으로 예측됩니다.
현재 반도체 산업에서는 소형 반도체칩을 여러 개 붙이는 칩렛 혹은 반도체칩을 위로 쌓아 단위 면적당 기능을 높이는 3차원 적층 기술 등 반도체를 붙이거나 쌓는 기술들이 주목받고 개발이 진행되고 있다고 합니다.