안녕하세요. 김태헌 과학전문가입니다.
Fin EFT이나 GAA는 반도체 패키징과는 관련이 없는 기술입니다.
Fin EFT이나 GAA는 모두 반도체 소자의 새로운 구조를 나타내는 단어입니다.
지금까지 반도체 구조는 Planar FET, Fin FET 등이 있었는데 각 구조별 차이점은 게이트가
채널에 닿는 면적이 다르다는 점입니다.
미세 공정 발전은 채널에서 전자가 게이트를 무시하고 반대편으로 넘어가는 터널링 현상을
방지하면서도 더 빠르게, 더 낮은 전압에서 작동하도록 만듭니다.
또한 단순히 미세한 구조만 만들기보다는, 미세한 구조에서도 더 좋은 게이트 성능을 내기 위해
더 좋은 물성을 가진 소재를 개발하려고 시도했죠.
그러나 미세화와 소재 개발도 한계에 다다르자 게이트 구조의 혁신이 일어나면서 태어난 구조가
'FinFET' 라는 게이트 구조입니다.
FinFET 구조는 누설 전류를 효과적으로 막기 위해 게이트가 채널에 닿는 면적을 극대화한 것입니다.
GAA 구조 역시 누설 전류를 방지하기 위해 한 단계 더 진화한 개념으로 이해하사면 됩니다.
GAA 구조는 3면이 채널과 닿는 'FinFET'보다 4면이 채널이 닿기 때문에 더욱 효과적인 것입니다..