실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판이 웨이퍼로 알고 있습니다.

Question

삼성전자 세계최초로 도입한 4D GAA FET 미세공정이 뭔가요?. 3D Fin FET 방식보다 앞선기술인 D GAA FET 공정기술력이 뭔지 궁금합니다.

느긋한칼새269 · Accepted Answer

안녕하세요. 김학영 과학전문가입니다.4D GAA FET (Four-dimensional Gate-All-Around Field-Effect Transistor)는 삼성전자에서 개발한 최신 미세공정 기술 중 하나입니다. 이 기술은 3D Fin FET 기술보다 한 단계 더 발전된 것으로, 더욱 작은 크기의 반도체 칩을 만들어내는 것이 가능합니다.기존의 3D Fin FET 방식은 반도체 칩에서 작은 침범현상이 발생하여 전기 신호가 손실되는 문제가 있었습니다. 그러나 4D GAA FET는 기존의 방식보다 더욱 정밀하고 견고한 구조로 만들어져 이러한 문제를 해결할 수 있습니다. 또한, 삼성전자는 이 기술을 적용하여 더욱 빠르고 저전력의 반도체 칩을 제작할 수 있다고 밝혔습니다.

기계공학

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실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판이 웨이퍼로 알고 있습니다.