안녕하세요. 김석진 과학전문가입니다.
GAA는 로직 반도체 업계에서 '핀펫(FinFET)' 다음 차세대로 꼽히는 기술을 말합니다.
현재의 메인스트림 기술인 핀펫이 윗면-앞면-뒷면 등 총 3면을 트랜지스터의 게이트로 쓰는 3차원이라면, GAA는 게이트의 아랫면까지 모두 쓰는 4차원 방식입니다.
업계에서는 14나노~5나노까지 핀펫 기술이 대체적으로 사용되고, 3나노부터 GAA 기술이 적용될 것으로 보고 있습니다.
반도체 회로를 구성하는 트랜지스터 소자의 Gate length를 줄이는 '미세화'는 그동안 업계의 지상 과제였습니다. (트랜지스터에서 게이트는 말 그대로 전류의 흐름을 조절하는 문 역할)
문의 폭을 줄일수록 전자의 이동량이 많아져 회로의 동작 속도가 빨라지죠.
그러나 gate length를 줄일수록 누설전류가 커지고 단채널 효과(Short Channel effect)가 나타나는 부작용이 늘 문제였습니다.
이를 극복하기 위해 개발된 기술이 3차원 핀펫 공정과 4차원 GAA 구조입니다.
