광각 형성 과정은 미리 설계된 반도체 회로 패턴을 반도체 웨이퍼 상에 전달하기 위해 사용됩니다. 이 과정에서 포토레지스트는 웨이퍼의 표면에 적용됩니다. 포토레지스트는 미리 설계된 회로 패턴에 따라 반도체 웨이퍼를 미리 정의된 영역으로 마스킹하고, 이후에 진행되는 에칭 과정에 사용됩니다.
광각 형성 과정에서는 먼저 반도체 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 적용합니다. 그런 다음 마스크 패턴과 함께 노광 장비를 사용하여 웨이퍼에 빛을 비추면, 포토레지스트는 빛의 영향을 받아 화학적 변화를 일으킵니다. 이러한 화학적 변화로 인해 포토레지스트는 노광 과정에서 노출된 영역과 그렇지 않은 영역으로 나뉘게 됩니다.
노광 후, 포토레지스트 패턴에 따라 웨이퍼를 에칭 과정에 투입합니다. 에칭은 반도체 웨이퍼의 표면에 적용된 포토레지스트 패턴을 따라 반도체 소자를 정의하는 프로세스입니다. 포토레지스트 패턴을 따라 표면이 부분적으로 제거되고, 이후 다른 공정 단계를 통해 회로 구성 요소가 형성됩니다.
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