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SiCl4는 반도체 소재인 실리콘(Si)의 식각 공정에서 사용됩니다. 식각 공정은 반도체 소재의 특정 부분을 제거하여 원하는 형태를 만드는 공정인데, SiCl4는 고온에서 증기상 식각에 사용됩니다. SiCl4는 실리콘과 반응하여 사염화규소를 형성하고 이는 증기 상태로 제거되어, 정밀하고 깔끔한 식각을 가능하게 합니다. 그리고, SiCl4는 증착 공정에서도 사용됩니다. 증착 공정은 반도체 소재 위에 다른 물질을 덮는 공정인데, SiCl4는 이때 실리콘을 증착하는 데 사용됩니다. SiCl4는 고온에서 실리콘과 염소로 분해되며, 이 실리콘이 반도체 표면에 증착됩니다.
