"기초과학연구원(IBS)이 자가 도핑 양자점을 시분해 분광법을 통해 연구한 결과, 양자점을 활용한 반도체의 성능을 저해하는 새로운 요인을 찾아냈다. 기존 오제 현상은 가전자대의 정공이 에너지 전달에 있어 주요한 역할을 수행했다. 반면 관측된 인트라밴드 오제현상의 경우, 전도대의 전자들 간의 충돌 및 에너지 전이를 기반으로 일어난다." 내용에
오저 전자 분광법은 원자 또는 분자 표면의 원소 조성과 화학적 조성을 분석하는 방법입니다. 고에너지 전자빔을 표면에 조사하면 표면 원자로부터 오저 전자가 방출됩니다. 오저 전자는 방출된 원자의 에너지와 화학적 상태에 따라 고유한 에너지를 가지므로, 이를 측정하여 표면의 원소와 화학적 조성을 분석할 수 있습니다.