메모리반도체가 나노미세화공정이 비메모리보다 더 어려운 이유가 무엇인가요?
메모리반도체는 비메모리 파운드리 공정보다 3나노 2나노 이런식으로 나노 미세화공정이 더 어렵다고 들었습니다. 그렇다면 왜 비메모리보다 더 어려운것인지 궁금합니다
안녕하세요. 서종현 전문가입니다.
메모리 반도체의 나노 미세화 공정이 비메모리반도체보다 더 어려운 이유는 주로 구조적 복잡성과 특성 때문입니다.
메모리 반도체는 데이터 저장을 위해 트랜지스터와 커패시터를 조합하여 사용하며 이들 요소의정밀한 제어가 필요합니다.
특히 DRAM과 NAND 플래시의 경우 셀 밀도를 높이기 위해 더 많은 층과 정밀한 패터닝이 요구됩니다. 반면, 비메모리
반도체는 주로 로직 회로를 기반으로 하여 설계가 상대적으로 단순하고, 공정의 복잡성이 덜합니다. 따라서 메모리 반도체의 미세화는 기술적 도전이 더 크고 고도의 정밀성과 신뢰성을 필요로 합니다
안녕하세요. 안다람 전문가입니다.
메모리 반도체 미세화가 더 어려운이유
높은 집적도 요구
균일성 필요
복잡한 3d구조
누설 전류 관리의 어려움
데이터 신뢰성 확보
이런 사유로 비메모리 공정을 더욱 까다롭게 만들게 됩니다.
안녕하세요. 박온 전문가입니다.
메모리 반도체의 나노 미세화 공정이 비메모리보다 더 어려운 이유는 메모리 반도체는 고밀도로 많은 데이터를 저장하고 빠르게 읽고 쓰는 작업을 해야 하기 때문입니다. 그래서 미세한 회로에서 데이터 안정성과 속도를 유지하는 것이 매우 중요한것이고 이를 작은 크기로 줄이는 과정에서 많은 기술적 어려움이 따릅니다.
반면 비메모리 반도체는 주로 로직(연산) 역할을 하고, 다양한 기능을 처리하기 때문에 회로가 조금 더 복잡하지만, 메모리처럼 고밀도로 많은 데이터를 한꺼번에 다루지 않아도 되기 때문에 미세화 공정이 상대적으로 덜 까다롭죠.
쉽게 말해, 메모리 반도체는 좁은 공간에 데이터를 꽉꽉 채워야 해서 미세화가 더 어려운 반면, 비메모리는 연산 기능이 중심이기 때문에 미세화에서 상대적으로 유리한 면이 있습니다.