안녕하세요. 이영훈 과학전문가입니다.
포지티브 포토레지스트와 네거티브 포토레지스트의 차이점은 빛에 반응하는 방식입니다.
포지티브 포토레지스트는 빛에 노출되면 현상액에 더 잘 녹습니다. 즉, 현상 과정에서 빛에 노출된 레지스트의 일부가 제거되어 반도체 표면에 레지스트 패턴이 남게 됩니다.
반면 네거티브 포토레지스트는 빛에 노출되면 현상액에 대한 용해도가 낮아집니다. 즉, 빛에 노출된 레지스트 부분은 반도체 표면에 남고 노출되지 않은 부분은 현상 과정에서 제거됩니다.
포지티브 포토레지스트는 반도체에 전사해야 하는 패턴이 더 복잡하거나 해상도 요구 사항이 더 높을 때 사용됩니다.
네거티브 포토레지스트는 패턴이 더 단순하거나 해상도 요구 사항이 더 낮을 때 사용됩니다.