학문
MTBF에 대한 추가 질문 드립니다.
가속 계수에서의 활성화 에너지에 대한 질문입니다.
0.6로 적용한 표인 것 같은데요. 그렇다면 덜 가혹하다고 볼 수 있을 것 같은데요. 맞나요?
반도체 소자의 경우 Ea=0.7 eVEa 가 자주 사용됨.
다른 재료라면 Ea=0.6 eV일 수도 있음.
이런 답변도 있던데요. 활성화 에너지를 설정하는 기준은 어떤지 알고 싶습니다.
그리고, 저온 MTBF도 산출 가능한가요?
죄송합니다만, 답변 달아주시면 댓글 남기면 그 부분도 확인해주시면 정말 감사하겠습니다.
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2개의 답변이 있어요!
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안녕하세요. 이주형 박사입니다.
활성화 에너지는 주어진 재료의 열적 거동과 고장 메커니즘을 반영하여 실험적 데이터와 경험적 모델을 기반으로 설정됩니다. 일반적으로 반도체는 0.7eV, 금속이나 고분자는 0.6eV 수준으로 적용되지만, 사용 환경과 열적 스트레스 조건에 따라 달라질 수 있습니다. 저온에서도 MTBF 산출은 가능하지만, 온도에 따른 고장 메커니즘 차이를 고려한 모델 적용이 필요합니다.
안녕하세요. 신란희 전문가입니다.
활성화 에너지는 재료의 열화 메커니즘을 반영하여 실험적 분석과 신뢰성 데이터를 통해 결정됩니다.
반도체 소자는 확산과 전자 이동이 주요 요인이므로 Ea=0.7 eV가 흔하지만, 다른 재료는 물리, 화학적 특성에 따라 다를 수 있습니다. 저온 MTBF 산출도 가능하며, Arrhenius 모델을 활용해 온도 변화에 따른 신뢰성 예측이 이루어집니다.