포토공정에서 ArF보다 짧은 파장을 쓰지 않는 이유가 무엇인가요?

Question

포토공정에서 ArF 광원에서 EUV로 넘어간 걸로 알고 있습니다. 엑시머 레이저에서 ArF보다 파장이 짧은 게 있는 걸로 알고 있는데, 왜 사용되지 않고 바로 EUV로 전환되었나요?

Answer 1

안녕하세요. 강세훈 전문가입니다.

포토공정에서 ArF보다 짧은 파장을 바로 EUV로 전환한 건, 기술적 한계와 비용 문제 때문입니다.

짧은 파장을 만들려면 광학장비와 광원 기술이 매우 복잡하고 비싸서 실용화가 어렵고, 효율도 낮답니다.

EUV는 반사광학계를 활용해 훨씬 미세한 패턴을 구현할 수 있어, 반도체 공정에 더 적합하고 빠르게 채택된 겁니다.

Answer 2

안녕하세요. 전찬일 전문가입니다.

포토공정에서 AfF 보다 짧은 파장을 가진 엑시머 레이저가 이론적으로는 있지만, 실제로는 기술적인 한계와 비용 때문에 바로 EUV로 넘어갔습니다. 짧은 파장을 만들려면 광원과 광학장비가 훨씬 복잡하고 비싸고, 효율도 낮아서 사용화가 어렵고 성능 개선에 한계가 있었기 때문입니다. EUV 는 훨씬 짧은 파장으로 미세한 패턴을 만들 수 있어서 반도체 미세 공정에 더 적합해 빠르게 채택된것입니다

Answer 3

안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.

ArF엑시머 레이저 짤은 파장을 가진 F2레이저도 개발 되었지만 광학계 재료의 제약과 공정 안정성 문제로 사용화 어려웠습니다 바면 EUV는 반사식 광학계를 사용하여 훨씬 더 미세한 패턴 구현이 가능해 기술적 도전이 크지만 미래 확장성 측면에서 더 유리하다고 판단되어 한계적인 단파장 레이저보다 전혀 다른 방식의 EUV로 기술 전환이 이루어진 것입니다

Answer 4

안녕하세요. 조일현 전문가입니다.

ArF는 기존에 사용했던 석영 렌즈가 빛을 거의 투과하지 못했으며 플루오르화칼슘 같은 특수 재료가 필요했기에

이를 사용하려면 비용과 내구성 및 가공성이 떨어졌기 때문입니다.

EUV는 반사형 광학계를 사용하여 한번으로 미세한 패턴을 구현 할 수 있었음으로 공정이 단순화 되었고 해상도가

같이 좋아졌기에 주요 기업들이 빠르게 넘어가게 되었습니다.