최근 메모리반도체에서 TSV(Through - silicon Via)를 이용해 여러 층으로 높게 쌓는 이유는 칩 면적 한계를 극복하고 집적도를 높이기 위해서입니다. 층을 쌓아 고밀도로 통합하면 데이터 전송 거리가 짧아지고 신호 지연과 소비 전력이 줄어들어 성능이 개선됩니다. 또한 고속 · 대용량 메모리 구현이 가능해져 모바일 , 서버 등에서 효율이 높아집니다. 3D TSV기술은 공간 활용률을 크게 높이고 열 관리 및 신호 무결성에서도 유리한 점이 있어 최신 반도체 패키지에서 필수적인 공정으로 자리잡았습니다.