안녕하세요. 김학영 과학전문가입니다.GAA FET는 Gate-All-Around Field-Effect Transistor의 약자로, 회로 속도와 전력 효율성을 높이기 위해 사용되는 반도체 소자입니다.
GAA FET 공정 기술력이 3D Fin FET 방식보다 앞서는 이유는 GAA FET는 Fin FET 방식보다 더욱 얇고 세밀한 나노미터 미세공정 기술이 가능하기 때문입니다.
4D GAA FET는 삼성전자에서 개발한 공정 기술로, 기존의 3D Fin FET 구조에서 기판 밑부분까지 층을 더 쌓아 4차원 구조를 만들어 처리 속도와 전력 효율성을 높였습니다. 이 기술은 향후 초고속 모바일, 인공지능 등에 적용될 전망입니다.