MOSFET에서 개념이 헷갈립니다
Drain 에서 Source로 전자가 이동하는데 게이트가 채널의 길이를 조절해 전자의 이동량을 조절한다고 알고 있었습ㄴ디ㅏ. 근데 채널의 길이라는게 물리적으로 고정이고 트랜지스터나 소자 만들 때부터 고정된 것이라는데 그럼 뭐가 바뀌나요?
안녕하세요. 전기기사 취득 후 현업에서 일하고 있는 4년차 전기 엔지니어입니다.
MOSFET에서의 오해를 풀 수 있도록 설명해드릴게요. 채널의 길이는 물리적으로 고정되어 있지만, 게이트 전압에 의해 채널의 "폭"이 변화합니다. 이는 게이트 전압이 전하를 축적시켜 채널을 형성하고 그 너비를 조절함으로써 이루어집니다. 쉽게 말해, 게이트 전압이 높아지면 더 많은 전자가 채널에 모여 전류의 흐름(즉, 전자의 이동량)이 증가합니다. 따라서 채널의 길이가 아닌 채널의 폭과 전도성이 게이트 전압의 변화에 따라 조절되는 것입니다. 이러한 원리를 통해 MOSFET는 전류를 제어하는 역할을 하게 됩니다. 제 답변이 도움이 되셨길 바랍니다.
안녕하세요. 유순혁 전문가입니다.
MOSFET에서 게이트 전압에 의해 채널의 전도성을 조절합니다. 채널의 길이가 고정되더라도 게이트 전압에 따라서 전자 이동을 조절할 수 있습니다.
높은 게이트 전압에서는 채널의 전도성이 높아져 전류가 쉽게 흐르고, 낮은 게이트 전압에서는 채널의 전도성이 감소하여 전류 흐름이 제한되며 이로 인해 트랜지스터의 작동이 가능하게 됩니다~!
안녕하세요. 장철연 전문가입니다.
트랜지스터의 채널 길이는 물리적으로 고정되어 있지만, 게이트 전압에 따라 유효 채널 길이가 변합니다. 게이트 전압이 인가되면 전기장이 형성되어 채널 내 전자 밀도가 변하고, 이로 인해 전류가 흐르는 경로가 조절됩니다. 즉, 게이트 전압에 따라 채널의 유효 길이가 짧아지거나 길어지며, 전자의 이동량이 조절됩니다. 이를 채널 길이 변조라고 합니다. 이 과정에서 드레인-소스 전압이 높아지면 유효 채널 길이가 줄어들어 전류가 증가하게 됩니다.
안녕하세요. 조일현 전문가입니다.
MOSFET 에서 실제로 변하는 것은 채널의 길이가 아니라 폭 또는 두께 입니다.
채널의 물리적 길이는 소자 제작시 고정됩니다.
게이트 전압에 의해 제어되는 것은 패널의 폭입니다.
게이트 전압이 증가하면 채널이 더 넓어지거나 더많은 전차 캐리어가 채널에 모입니다.
채널 폭이 넓어지면 더 많은 전자가 이동할 수 있어 전도도가 증가합니다.
이는 마치 수도관의 지름이 넒어져 더 많은 물이 흐를 수 있는 것과 유사합니다.
안녕하세요. 강세훈 전문가입니다.
MOSFET의 채널 길이는 고정되지만, 게이트 전압이 유효 채널 폭과 전도성을 조절해
전류량을 변화시킵니다. 감사합니다.
안녕하세요. 김재훈 전문가입니다.
MOSFET에서 채널의 길인느 물리적으로 고정되어 있지만 게이트 전압에 따라 채널의 유효 폭이 조절됩니다 게이트 전압이 증가하면서 채널 내 전자 밀도가 변하여 전류 흐름이 증가하거나 감소하며 이를 통해 전류량을 조절할 수 있습니다 따라서 물리적 길이가 아닌 전자의 이동 경로가 전압으로 조절되는 것입니다
안녕하세요. 전기전자 분야 전문가입니다.
MOSFET에서 채널의 길이는 물리적으로 고정되어 있지만, 게이트 전압에 의해 채널이 열리고 닫히는 양상이 달라집니다. 즉, 게이트 전압이 높아지면 더 많은 전자가 이동할 수 있는 경로가 열리게 되어 전류가 증가합니다. 이는 전자가 이동할 수 있는 '효과적인' 경로의 폭이 변화하는 것에 가깝습니다. 따라서 실제로 변경되는 것은 전자가 이동할 수 있는 채널의 '폭'과 이동할 수 있는 전류의 양입니다. 좋은 하루 보내시고 저의 답변이 도움이 되셨길 바랍니다 :)